[发明专利]抛光监视方法和抛光设备有效
| 申请号： | 200810170337.1 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101413780A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 小林洋一;高桥太郎;广尾康正;小川彰彦;大田真朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | G01B7/06 | 分类号： | G01B7/06;B24B29/00;B24B49/04;H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及抛光监视方法和抛光设备。根据本发明的使用涡电流传感器监视抛光过程中膜厚度变化的方法，在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 监视 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种利用涡电流传感器监视与抛光垫的抛光面滑动接触的基片上的导电膜的厚度变化的方法，所述方法包括：在基片的水抛光过程中，在抛光垫的修整过程中，或在抛光垫的更换过程中，获取涡电流传感器的输出信号，作为修正信号值；从修正信号值与预定的修正基准值之间的差值计算出修正量；当抛光具有导电膜的基片时，通过从涡电流传感器的输出信号减去修正量而计算出实测信号值；以及通过监视实测信号值的变化而监视抛光过程中导电膜的厚度变化。
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