[发明专利]存储器装置及其操作存储器的方法有效
| 申请号： | 200810170464.1 | 申请日： | 2008-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101430931A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡文哲;欧天凡;黄竣祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其操作存储器的方法。此存储器装置包括多个存储器单元，且每个存储器单元都与相邻的存储器单元共享一个源极/漏极区。此方法施加一电子流至两个存储器单元之间的一个源极/漏极区，使得当欲程序化的存储器单元在其邻近的存储器单元具有高阈值电压时，仍然有足够的电子将所述存储器单元程序化，进而降低存储器单元在被程序化速率上的歧异度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 操作 方法 | ||
【主权项】：
1、一种操作一存储器的方法，该存储器具有多个存储器单元，每一存储器单元具有一第一源极/漏极区以及一第二源极/漏极区，而该第一源极/漏极区与相邻的一存储器单元共享，其特征在于，该方法包括：导通该多个存储器单元的一第一存储器单元的第二源极/漏极区与多个存储器单元的一第二存储器单元的第二源极/漏极区之间的所有通道；施加一第一电压至该第一存储器单元的第二源极/漏极区并施加一第二电压至该第二存储器单元的第二源极/漏极区，以程序化该第一存储器单元；以及施加一电子流至该第一存储器单元的第二源极/漏极区与该第二存储器单元的第二源极/漏极区之间的至少一第一源极/漏极区。
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