[发明专利]晶片的分割方法

摘要

本发明提供一种即使使层叠在半导体基板背面的金属层厚度变薄、也能防止在电极框架上接合有金属层的器件的半导体基板上产生裂纹的晶片的分割方法。包括：基准线形成工序，将晶片的背面侧保持在切削装置的卡盘工作台上，沿着形成在晶片的表面的最外侧的分割道切断而形成基准线；V槽形成工序，将晶片的表面侧保持在卡盘工作台上，以基准线为基准将分割道定位在具有截面形状为V字形的切削刃的切削刀片的切削位置上，通过从晶片的背面侧沿着分割道切削而将该金属层切断，形成V字形的切削槽；加工应变除去工序，将残留在形成于半导体基板上的V字形的切削槽的表面的加工应变除去；切断工序，将晶片沿着分割道将切削槽的底部与半导体基板的表面间切断。

主权项

1、一种晶片的分割方法，是将晶片沿着第1分割道及第2分割道分割的晶片的分割方法，上述晶片在通过于半导体基板的表面平行延伸的多个上述第1分割道和沿与该多个第1分割道正交的方向延伸的多个上述第2分割道划分的区域中形成器件、在该半导体基板的背面层叠有金属层；其特征在于，该方法包括：基准线形成工序，将晶片的背面侧保持在切削装置的卡盘工作台上，沿着形成在晶片的表面的最外侧的第1分割道切断而形成第1基准线，并且沿着形成在晶片的表面的最外侧的第2分割道切断而形成第2基准线；V槽形成工序，将晶片的表面侧保持在切削装置的卡盘工作台上，以该第1基准线及该第2基准线为基准，将该第1分割道及该第2分割道定位在具有截面形状为V字形的切削刃的切削刀片的切削位置上，通过从晶片的背面侧沿着该第1分割道及该第2分割道切削而将该金属层切断，并且在该半导体基板的背面沿着该第1分割道及该第2分割道形成V字形的切削槽；加工应变除去工序，将被实施该V槽形成工序后残留在形成于该半导体基板上的V字形的切削槽的表面的加工应变除去；以及切断工序，将实施了该加工应变除去工序的晶片通过沿着该第1分割道及该第2分割道将V字形的切削槽的底部与该半导体基板的表面间切断，由此将晶片分割为各个器件。