[发明专利]紫外线照射处理装置有效
申请号: | 200810171076.5 | 申请日: | 2008-11-06 |
公开(公告)号: | CN101431000A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 远藤真一;山森贤治;冈本敏之 | 申请(专利权)人: | 优志旺电机株式会社 |
主分类号: | H01J65/04 | 分类号: | H01J65/04;H01L21/26 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;关兆辉 |
地址: | 日本国东京*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种紫外线照射处理装置,防止准分子灯与处理体之间的不希望的放电,不会损伤处理体。上述紫外线照射处理装置包括准分子灯,该准分子灯包括在角部具有弯曲部的扁平筒状放电容器,上述紫外线照射处理装置的特征在于,高压电极与接地电极间的沿面放电距离小于高压电极与处理体间的最短放电距离。 | ||
搜索关键词: | 紫外线 照射 处理 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种紫外线照射处理装置,包括准分子灯,该准分子灯具有由扁平筒状的电介质材料构成的放电容器,该放电容器包括:一对平坦壁,彼此相对地沿着管轴延伸;该平坦壁间的一对侧壁;以及弯曲部,在该平坦壁与侧壁间连续地形成,在形成于该放电容器内的密闭空间封入有放电气体,并且在一个上述平坦壁配置的高压电极和在与处理体靠近且相对的另一个上述平坦壁配置的具有透光性的接地电极,夹着上述密闭空间而位于上述放电容器的外表面,该紫外线照射处理装置向处理体照射从上述准分子灯放射的紫外光,其特征在于,上述高压电极端与上述接地电极端的沿面放电距离小于上述高压电极端与上述处理体的最短放电距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优志旺电机株式会社,未经优志旺电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810171076.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制造半导体器件的方法
- 下一篇:多比特快闪存储器件及其编程和读取方法