[发明专利]使用诊断装置的光电制造工艺监测及控制无效
申请号: | 200810171158.X | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101494250A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 王大鹏;米歇尔·兰吉特·弗赖;苏杰发;维基·斯韦丹科;格雷格·S·海格希 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了在用于制造光电(PV)电池的相同基板上诊断装置的形成。将也称为工艺诊断工具(PDV)的这种装置设置成在线监测PV电池部件的电特征,并且使用用于PV电池制造的相同处理步骤在基板上形成这种装置。可以将通过PDV采集的数据用于调整或优化后续PV电池制造,即用作制造工艺的反馈。替代地,可以将通过PDV采集的数据在制造工艺中前馈,以便可以修改在PV电池基板上执行的后续处理步骤,以补偿通过PDV在PV电池基板上检测到的问题。 | ||
搜索关键词: | 使用 诊断 装置 光电 制造 工艺 监测 控制 | ||
【主权项】:
1.一种制造光电电池的方法,其包括:在基板表面之上形成一个或几个光吸收层;在该一个或几个光吸收层之上沉积导电层;通过至少去除该导电层的一部分在基板的区域上形成一个或几个诊断装置;在形成该一个或几个诊断装置之后将基板划分成第一和第二片段,其中使该区域基本位于第一片段内;以及使用布置在基板第二片段上的该一个或几个光吸收层和该导电层形成光电电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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