[发明专利]形成用于半导体装置的薄膜图案的方法和用于所述方法的设备有效

专利信息
申请号: 200810171244.0 申请日: 2008-10-27
公开(公告)号: CN101582374A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 金熙大;权捧秀;李学宙;李来応;孙宗源 申请(专利权)人: 周星工程股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/033;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 孟 锐
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种形成薄膜图案的方法包括:在衬底上形成薄膜;在所述薄膜上形成包括第一和第二碳层的非晶碳层,其中通过旋涂方法利等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)方法中的一者来形成所述第一碳层且通过物理气相沉积(PVD)方法来形成所述第二碳层;在所述非晶碳层上形成硬掩模层;在所述硬掩模层上形成PR图案;通过使用所述PR图案作为蚀刻掩模蚀刻所述硬掩模层来形成硬掩模图案;通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述非晶碳层来形成包括第一和第二碳图案的非晶碳图案;以及通过使用所述非晶碳图案蚀刻所述薄膜来形成薄膜图案。
搜索关键词: 形成 用于 半导体 装置 薄膜 图案 方法 设备
【主权项】:
1.一种形成薄膜图案的方法,其包含:在衬底上形成薄膜;在所述薄膜上形成包括第一和第二碳层的非晶碳层,其中通过旋涂方法和等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)方法中的一者来形成所述第一碳层且通过物理气相沉积(PVD)方法来形成所述第二碳层;在所述非晶碳层上形成硬掩模层;在所述硬掩模层上形成PR图案;通过使用所述PR图案作为蚀刻掩模蚀刻所述硬掩模层来形成硬掩模图案;通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述非晶碳层来形成包括第一和第二碳图案的非晶碳图案;以及通过使用所述非晶碳图案蚀刻所述薄膜来形成薄膜图案。
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