[发明专利]单次可程序化记忆单元及其操作方法

摘要

本发明是有关于一种单次可程序化记忆单元及其操作方法。该单次可程序化记忆单元，其包含栅极介电层、栅极电极、第一源极/漏极、第二源极/漏极、第一自我对准金属硅化层、电容介电层、第二导电插塞与第一导电插塞。此栅极电极配置于此栅极介电层上。此第一源极/漏极与一第二源极/漏极分别位于此栅极电极下方之相对两侧。此第一自我对准金属硅化层配置于此第一源极/漏极上。此电容介电层，配置于此第二源极/漏极上。此第二导电插塞，配置于此第一自我对准金属硅化层上。此第一导电插塞，配置于此电容介电层上，其中此第二导电插塞的尺寸不同于此第一导电插塞的尺寸。

主权项

一种单次可程序化记忆单元，其特征在于其包含：一栅极介电层，配置于一井上；一栅极电极，配置于该栅极介电层上；一第一源极/漏极与一第二源极/漏极，配置于该井中，分别位于该栅极电极下方的相对二侧；一第一自我对准金属硅化层，配置于该第一源极/漏极上；一电容介电层，配置于该第二源极/漏极上；一第一导电插塞，配置于该第一自我对准金属硅化层上；以及一第二导电插塞，配置于该电容介电层上，其中该第一导电插塞的尺寸不同于该第二导电插塞的尺寸。