[发明专利]用于制造半导体的设备有效
| 申请号： | 200810171941.6 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101625961A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 杨彻勋;崔圭镇;全容汉;李义揆;李太浣 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置制造设备，其包含：腔室，其包含反应空间；衬底安置单元，其经配置以在所述腔室内安置衬底；第一加热单元，其经配置以用光学方式加热所述反应空间且安置在所述腔室下方；第二加热单元，其经配置以通过电阻性加热来加热所述反应空间且安置在所述腔室上方；以及等离子体产生单元，其经配置以在所述反应空间中产生等离子体。由于所述设备使用安置在所述腔室上方的所述等离子体产生单元产生所述等离子体，所以可在一单个腔室中同时执行基于加热的沉积工艺和基于等离子体的蚀刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的设备，所述设备包括：腔室，其包含反应空间；衬底安置单元，其经配置以在所述腔室内安置衬底；第一加热单元，其经配置以用光学方式加热所述反应空间且安置在所述腔室下方；第二加热单元，其经配置以通过电阻性加热来加热所述反应空间且安置在所述腔室上方；以及等离子体产生单元，其经配置以在所述反应空间中产生等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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