[发明专利]硒化物纳米粒子负载在TiO2线材上的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810172002.3 申请日: 2008-10-27
公开(公告)号: CN101722016A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 嵇天浩;孙家跃;田淼;杜海燕 申请(专利权)人: 嵇天浩
主分类号: B01J27/057 分类号: B01J27/057;B01J21/06;H01L31/18;H01M14/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100037 北京市阜*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了半导体硒化物纳米粒子负载在TiO2线材上的制备方法,该方法为直接用金属离子交换过的层状钛酸盐线材与可溶于水的含硒化合物水溶液混合,再加入反应釜中,在60℃-240℃之间处理数小时至数十小时不等,就可制得这种负载型复合相线材;或者将表面键合有表面活性剂的硒化物纳米粒子直接负载在TiO2线材上也可制得这种负载型复合相线材。该方法制备简单,反应条件容易控制,所制备的负载型硒化物纳米粒子和TiO2复合相线材在压制成复合材料后耐酸碱,且其中的硒化物纳米粒子不易被氧化,因此,将在光电转换或光催化领域有巨大的潜在应用价值。
搜索关键词: 硒化物 纳米 粒子 负载 tio sub 线材 制备 方法
【主权项】:
一种制备硒化物纳米粒子负载在TiO2线材上的方法,其特征在于:半导体硒化物纳米粒子是负载在TiO2线材上的,步骤为:称取适量可溶于水的金属盐(如CdCl2,Cd(Ac)2,ZnCl2,ZnSO4,Zn(Ac)2,HgCl2,CuCl2,CuSO4,Pb(NO3)2,Pb(Ac)2,In(NO3)3等),并与层状钛酸盐线材(如Na-Ti-O,K-Ti-O)混合,首先制得含金属离子的线材,然后,在反应釜中加入可溶于水的含硒化合物(如硒代亚硫酸钠,硒化钠等)水溶液和所制得的含金属离子的线材,加热至60~240℃,并保持在该温度下反应数小时至数十小时,就可制得硒化物纳米粒子(如CdSe,ZnSe,HgSe,CuSe,PbSe,In2Se3等)负载在TiO2线材上的半导体复合材料。或者在含有表面活性剂的水溶液中先制备出这些硒化物纳米粒子,再将它们直接负载在TiO2线材表面上制备出半导体复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嵇天浩,未经嵇天浩许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810172002.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top