[发明专利]微米结构和纳米结构的复制和转移有效

专利信息
申请号: 200810172709.4 申请日: 2003-09-17
公开(公告)号: CN101398617A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 查尔斯·D·沙佩尔 申请(专利权)人: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;B81C1/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;张 英
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明披露了一种将微观图案从母片复制到基片的方法,其中外形结构的复制品在母片上形成并且当需要时利用各种印刷或压印技术之一转移到接受基片,然后溶解。在转移前利用复制品还可以进行另外的工艺步骤,包括形成纳米结构、微型器件、或它们的一部分。然后当复制品被转移时这些结构也被转移到基片上,并且当复制品被溶解时残留在基片上。在制造集成电路和其它微型器件时,这是一种可以用作补充工艺或代替各种光刻处理步骤的技术。
搜索关键词: 微米 结构 纳米 复制 转移
【主权项】:
1. 一种制品,所述制品通过下述方法制成,所述方法包括:将聚乙烯醇(PVA)薄膜旋转涂布至包括外形图案的母片上,并从所述母片上移除所述PVA薄膜。
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