[发明专利]预测高压器件中的衬底电流的方法无效
| 申请号： | 200810172783.6 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101470769A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 郭尚勋 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种预测高压器件中衬底电流的方法，该方法可以精确地预测第一区、第二区和第三区中各自的衬底电流分量。这可以通过在第三区中对衬底电流分量进行建模来实现，在第三区中，当例如使用基于BSIM3的建模来计算高压器件中的衬底电流时，可能出现不一致。根据本发明实施例，可以通过具有三元算子的表达式来对第三区的衬底电流进行建模，并且可以将模拟出的衬底电流叠加到通过基于BSIM3的建模获得的衬底电流上。 | ||
| 搜索关键词： | 预测 高压 器件 中的 衬底 电流 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：确定器件的漏极电压是否等于或高于指定的第一临界值；如果所述漏极电压低于所述第一临界值，则将附加衬底电流设置为0；如果所述漏极电压等于或高于所述第一临界值，则确定栅电压是否等于或高于指定的第二临界值；如果所述栅电压低于所述第二临界值，则将所述附加衬底电流设置为0；如果所述栅电压等于或高于所述第二临界值，则将所述附加衬底电流设置为一个值，其中所述值通过将所述第一临界值和所述栅电压之差的二次幂、所述漏极电压以及比例常数进行相乘来获得；以及然后将所述附加衬底电流叠加到通过MOSFET器件建模获得的衬底电流上。
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