[发明专利]快闪存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810173075.4 | 申请日： | 2008-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101447511A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 朴真河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/792;H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 实施方案涉及快闪存储器件及其制造方法，所述快闪存储器件在具有源极区和漏极区的半导体衬底上和/或之上可包括隧道氧化物层。隧道氧化物层可具有第一宽度。快闪存储器件可包括在隧道氧化物层上和/或之上的第一多晶硅图案和第二多晶硅图案，和在可提供第一多晶硅图案和第二多晶硅图案的隧道氧化物层上和/或之上的介电图案。快闪存储器件还可包括在介电图案上和/或之上的第三多晶硅图案，以及在第一多晶硅图案、第二多晶硅图案和第三多晶硅图案、介电图案和隧道氧化物图案的侧壁上和/或之上形成的间隔物，所述第三多晶硅图案具有第二宽度。根据实施方案，第二宽度可大于第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种器件，包括：在半导体衬底之上的具有第一宽度的隧道氧化物层，所述半导体衬底包括源极区和漏极区；在所述隧道氧化物层之上的第一多晶硅图案和第二多晶硅图案；在所述隧道氧化物层以及所述第一多晶硅图案和第二多晶硅图案之上的介电图案；和在所述介电图案之上的第三多晶硅图案，所述第三多晶硅图案具有第二宽度，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。
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