[发明专利]外延膜形成装置及其用的基座、外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200810173124.4 | 申请日： | 2008-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101423977A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 金原秀明 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延膜形成装置用的基座，是被设置在外延膜形成装置的成膜室内的基座，具备收容半导体晶片的俯视近似为圆形的凹部，在上述凹部中设置有支承半导体晶片的俯视近似为圆形的凸部，上述凸部的直径比上述凹部的直径小，且上述凸部的直径被设定为当在上述凹部上载置半导体晶片时，气相生长反应用的反应气体能够在上述凸部与上述半导体晶片的交界整体流通的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 形成 装置 及其 基座 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种外延膜形成装置用的基座，被设置在外延膜形成装置的成膜室内，其特征在于，设置有收容半导体晶片的俯视近似为圆形的凹部，在前述凹部中设置有支承前述半导体晶片的俯视近似为圆形的凸部，前述凸部的直径比前述凹部的直径小，且前述凸部的直径被设定为当在前述凹部上载置前述半导体晶片时，气相生长反应用的反应气体能够在前述凸部与前述半导体晶片的交界整体流通的大小。
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