[发明专利]用于对全芯片图案实施图案分解的方法有效
申请号: | 200810173349.X | 申请日: | 2008-11-13 |
公开(公告)号: | CN101470344A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 陈洛祁;陈虹;李江伟;罗伯特·约翰·索卡 | 申请(专利权)人: | 睿初科技公司;ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于将包括要印制到晶片上的特征的目标图案分解成多个图案的方法。所述方法包括步骤:将所述目标图案分割成多个小块;识别每个小块内违反最小间隔要求的临界特征;为具有临界特征的所述多个小块中的每一个生成临界组图形,其中给定小块的所述临界组图形限定所述给定小块内的所述临界特征的着色方案,并且所述临界组图形还识别延伸到与所述给定小块相邻的邻接小块的临界特征;对于所述目标图案生成整体临界组图形,所述整体临界组图形包括所述多个小块中的每一个的所述临界组图形和延伸到邻接小块的所述特征的识别;以及基于所述整体临界组图形限定的所述着色方案着色所述目标图案。 | ||
搜索关键词: | 用于 芯片 图案 实施 分解 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种将目标图案分解成多个图案的方法,其中所述目标图案包含将被印制到晶片上的特征,所述方法包括步骤:将所述目标图案分割成多个小块;对于所述多个小块中的每一个,识别每个小块内违反最小间隔要求的临界特征;为具有临界特征的所述多个小块中的每一个生成临界组图形,给定小块的所述临界组图形限定所述给定小块内的所述临界特征的着色方案,所述临界组图形还识别延伸到与所述给定小块相邻的邻接小块的临界特征;对于所述目标图案生成整体临界组图形,所述整体临界组图形包括所述多个小块中的每一个小块的所述临界组图形和延伸到邻接小块的所述特征的识别;和基于所述整体临界组图形限定的所述着色方案着色所述目标图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于睿初科技公司;ASML荷兰有限公司,未经睿初科技公司;ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810173349.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:绘图处理单元以及执行单元
- 下一篇:用于发光二极管的驱动装置及其相关方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备