[发明专利]基板的表面处理方法以及等离子体处理装置有效
申请号: | 200810173371.4 | 申请日: | 2008-11-20 |
公开(公告)号: | CN101439342A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 山崎正;河西充 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00;C03C17/00;G02F1/13 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种有效地从基板表面除去有机物以及进行基板表面改质化的基板的表面处理方法以及等离子体处理装置。利用由大于大气中氮所占的容量比率的容量比率的氮气生成的氮自由基,可以在基板(70)附近生成必要量的氧自由基。由于可以在基板(70)附近生成必要量的氧自由基,所以可以有效地从基板表面(70a)可以除去有机物。 | ||
搜索关键词: | 表面 处理 方法 以及 等离子体 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种基板的表面处理方法,其特征在于,其具有表面处理工序,所述表面处理工序在大气环境下,通过向基板表面供给使用氮气和氧气而生成的第一等离子体,对所述基板表面进行表面处理,在所述表面处理工序中,所述氧气占所述氮气和所述氧气的合计供给量的容量比率小于在大气中氧所占的容量比率。
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