[发明专利]半导体器件用封装无效
| 申请号： | 200810173393.0 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101409264A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 猪野好彦 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/06;G01P1/02;G01P15/00;G01P15/18;G01P15/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭 放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供厚度较薄且具有良好的盖章特性的半导体器件用封装。将容纳加速度传感器10等半导体器件的陶瓷容器20覆盖并密封的盖30A是在42合金板31表面设置了电泳涂漆32形成的。电泳涂漆32通过在100μm左右厚度的42合金板31的表面镀铬，并在该镀铬上形成黑色化合物得到的。盖30A由热固性树脂41固定在陶瓷容器20的侧壁部22的上部。热固性树脂41固化后的厚度调整为20～30μm。以往的陶瓷盖由于强度等原因，厚度必须为200μm以上，且激光加工很困难。通过使用该盖30A，厚度能够减半，且利用激光的盖章也变得容易。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件用封装，由内部具有容纳半导体器件的空间的陶瓷容器和与上述陶瓷容器的侧壁部上端粘合且密封该陶瓷容器内部的盖构成，其特征在于：上述盖是在不锈钢板的表面及里面进行镀铜并通过将该镀铜氧化进行黑色处理而形成的。
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