[发明专利]有机电致发光设备及其制造方法无效
申请号: | 200810173754.1 | 申请日: | 2008-10-08 |
公开(公告)号: | CN101409305A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 郑然植;许峻瑛 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种有机电致发光设备及其制造方法,其中薄膜晶体管由发光器件的一个电极、遮蔽层或绝缘层覆盖,从而防止薄膜晶体管暴露于自然光或X射线。有机电致发光设备包括位于基板上的包括源区、沟道区和漏区的半导体层;位于基板上的包括第一接触孔的栅绝缘膜;位于栅绝缘膜的沟道区上方的栅极;位于栅绝缘膜上的包括第二接触孔的层间绝缘膜;位于层间绝缘膜上的通过第一和第二接触孔电连接到源区和漏区的源极和漏极;位于所得到的结构上的包括第三接触孔的平整膜;位于平整膜上的发光器件的第一电极,从而使第一电极覆盖半导体层同时使之经第三接触孔电连接到漏极;位于第一电极上的有机发光层;和位于有机发光层上的发光器件的第二电极。 | ||
搜索关键词: | 有机 电致发光 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种有机电致发光设备,该有机电致发光设备包括:基板;位于所述基板上的半导体层,所述半导体层包括源区、沟道区和漏区;位于包括所述半导体层的所述基板上的栅绝缘膜,所述栅绝缘膜包括分别设置在所述源区和漏区上的第一接触孔;位于所述栅绝缘膜的所述沟道区上方的部分上的栅极;位于所述栅绝缘膜的包括所述栅极在内的整个上表面上的层间绝缘膜,所述层间绝缘膜包括分别设置在所述源区和漏区上的第二接触孔;源极和漏极,所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘膜上,使所述源极和所述漏极通过所述第一接触孔和所述第二接触孔分别电连接到所述源区和所述漏区;位于所得到的包括所述源极和所述漏极的结构的整个上表面上的平整膜,所述平整膜包括设置在所述漏极上的第三接触孔;发光器件的第一电极,所述发光器件的第一电极位于所述平整膜上,使所述第一电极覆盖所述半导体层,同时使所述第一电极通过所述第三接触孔电连接到所述漏极;位于所述第一电极上的有机发光层;以及所述发光器件的第二电极,其位于所述有机发光层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810173754.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双向自动落纱系统
- 下一篇:基于两步形状建模的三维人脸重建方法和系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的