[发明专利]高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件有效
| 申请号： | 200810173842.1 | 申请日： | 2008-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101425457A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 欧阳晖;尚·路克·艾佛拉特;萝拉·宁斯;莉塔·沃斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心;鲁汶天主教大学(KUL)研究开发部 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/31;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件，该方法包括下列步骤：提供一半导体基材；清洗该基材；对该基材进行一热处理；沉积一高介电常数材料，其中该热处理在一无氧化环境中进行，导致形成一薄界面层。本发明的方法能产生均匀且薄的、具有适当的末端的界面层，使其能够相容于后续高介电常数(high-k)材料的沉积，并能改善界面层的粗糙度与品质。同时，本发明的结构能增进在半导体元件中的电荷载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 栅极 材料 形成 方法 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1. 一种高介电常数栅极介电材料的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体基材；清洗该基材；对该基材进行一热处理；沉积一高介电常数材料，其中该热处理在一无氧化环境中进行，导致形成一薄界面层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心;鲁汶天主教大学(KUL)研究开发部，未经台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心;鲁汶天主教大学(KUL)研究开发部许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810173842.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种球墨铸铁复合式窨井盖
- 下一篇：一种减少激光散斑效应的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
