[发明专利]薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置有效
| 申请号： | 200810173931.6 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101425544A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;神保安弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/36;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种电特性优良的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、及其制造方法。该薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅极绝缘膜，形成在栅极绝缘膜上并含有成为供体的杂质元素的微晶半导体膜，形成在含有成为供体的杂质元素的微晶半导体膜上的一对缓冲层，形成在一对缓冲层上的含有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜，形成在含有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中微晶半导体膜中的成为供体的杂质元素的浓度从栅极绝缘膜一侧至所述缓冲层降低，并且缓冲层不含有其浓度高于SIMS的检测限度的成为供体的杂质元素。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜晶体管，包括：形成在栅电极上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的含有成为供体的杂质元素的微晶半导体膜；形成在所述含有成为供体的杂质元素的微晶半导体膜上的一对缓冲层；形成在所述一对缓冲层上的含有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；以及形成在所述含有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在所述微晶半导体膜中的所述成为供体的杂质元素的浓度从所述栅极绝缘膜一侧至所述一对缓冲层一侧降低。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810173931.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
