[发明专利]制造氧化镧复合物的方法无效

专利信息
申请号: 200810173940.5 申请日: 2008-10-31
公开(公告)号: CN101423932A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 高岛章;村冈浩一 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/455
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在基材上制造氧化镧复合物的方法,包括:基于每个镧原子,将H2O分子数、CO分子数和CO2分子数分别设定为二分之一或更小、五分之一或更小和十分之一或更小,所述H2O分子、CO分子和CO2分子来源于制造时气氛中的H2O气体组分、CO气体组分和CO2气体组分;和在基于每个镧原子将O2分子数设定为20或更大的条件下,同时向基材供给含有选自由镧、铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的金属原料以及氧原料气体,从而在所述基材上制造氧化镧复合物。
搜索关键词: 制造 氧化 复合物 方法
【主权项】:
1. 在基材上制造氧化镧复合物的方法,该方法包括:基于每个镧原子,在气氛中将H2O分子数、CO分子数和CO2分子数分别设定为二分之一或更小、五分之一或更小和十分之一或更小;和在基于每个镧原子将O2分子数设定为20或更大的条件下,同时向所述基材供给镧原料、含有选自由铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的金属原料以及氧原料气体,从而在所述基材上制造含有所述选自由铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的所述氧化镧复合物。
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