[发明专利]制造氧化镧复合物的方法无效
申请号: | 200810173940.5 | 申请日: | 2008-10-31 |
公开(公告)号: | CN101423932A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 高岛章;村冈浩一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在基材上制造氧化镧复合物的方法,包括:基于每个镧原子,将H2O分子数、CO分子数和CO2分子数分别设定为二分之一或更小、五分之一或更小和十分之一或更小,所述H2O分子、CO分子和CO2分子来源于制造时气氛中的H2O气体组分、CO气体组分和CO2气体组分;和在基于每个镧原子将O2分子数设定为20或更大的条件下,同时向基材供给含有选自由镧、铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的金属原料以及氧原料气体,从而在所述基材上制造氧化镧复合物。 | ||
搜索关键词: | 制造 氧化 复合物 方法 | ||
【主权项】:
1. 在基材上制造氧化镧复合物的方法,该方法包括:基于每个镧原子,在气氛中将H2O分子数、CO分子数和CO2分子数分别设定为二分之一或更小、五分之一或更小和十分之一或更小;和在基于每个镧原子将O2分子数设定为20或更大的条件下,同时向所述基材供给镧原料、含有选自由铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的金属原料以及氧原料气体,从而在所述基材上制造含有所述选自由铝、钛、锆和铪组成的组的至少一种的所述氧化镧复合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810173940.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的