[发明专利]驱动一输出级的驱动电路

摘要

一种驱动一输出级的驱动电路，包含：二极管，包含阳极端及阴极端，其中阳极端耦接于第一电压；阴极端耦接于第一P型MOS晶体管及第二P型MOS晶体管的源极；第三P型MOS晶体管及第四P型MOS晶体管，各包含漏极、源极及栅极，其中源极分别电连接于第二P型MOS晶体管的栅极及第一P型MOS晶体管的栅极，漏极分别电连接于第一P型MOS晶体管的漏极、高侧N型MOS晶体管的栅极及第二P型MOS晶体管的漏极；第一N型MOS晶体管及第二N型MOS晶体管分别包含漏极、源极及栅极，其中漏极分别电连接于第四P型MOS晶体管的漏极及第三P型MOS晶体管的漏极，源极均耦接于第二电压，栅极分别电连接于第一输入及第二输入。

主权项

1.一种驱动电路，用以驱动一输出级，该输出级包含一高侧N型金属氧化物半导体晶体管及一低侧N型金属氧化物半导体晶体管，该驱动电路包含：一二极管，包含一阳极端及一阴极端，其中该阳极端耦接于一第一电压；一第一P型金属氧化物半导体晶体管及一第二P型金属氧化物半导体晶体管，该第一及第二P型金属氧化物半导体晶体管的一源极均电连接于该二极管的该阴极端；一第三P型金属氧化物半导体晶体管包含一漏极、一源极及一栅极，其中该源极电连接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极，该漏极电连接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极及该高侧N型金属氧化物半导体晶体管的一栅极；一第四P型金属氧化物半导体晶体管包含一漏极、一源极及一栅极，其中该源极电连接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的一栅极，该漏极电连接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极；一第一N型金属氧化物半导体晶体管包含一漏极、一源极及一栅极，其中该漏极电连接于该第四P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，该源极耦接于一第二电压，该栅极电连接于一第一输入；以及一第二N型金属氧化物半导体晶体管包含一漏极、一源极及一栅极，其中该漏极电连接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，该源极耦接于该第二电压，该栅极电连接于一第二输入。