[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810174254.X | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101425556A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的氮化物半导体发光器件包括：形成在第一氮化物半导体层上的有源层；形成在有源层上的第二氮化物半导体层；具有AlIn的第三氮化物半导体层，该层形成在第二氮化物半导体层上。及氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上的n-AlInN覆盖层；形成在n-AlInN覆盖层上的n-InGaN层；形成在n-InGaN层上的有源层；形成在有源层上的p-InGaN层；形成在p-InGaN层上的p-AlInN覆盖层；形成在p-AlInN覆盖层上的第二氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
[1]. 一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上的n-AlInN覆盖层；形成在所述n-AlInN覆盖层上的n-InGaN层；形成在所述n-InGaN层上的有源层；形成在有源层上的p-InGaN层；形成在所述p-InGaN层上的p-AlInN覆盖层；和形成在所述p-AlInN覆盖层上的第二氮化物半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810174254.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
