[发明专利]半导体发光元件

摘要

本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。

主权项

1. 一种发光二极管，具有：将基片的表面作为光射出部分，在上述基片的背面依次叠层至少第一导电性包层、活性层、第二导电性包层而成的发光层部，在上述第二导电性包层的背面侧部形成的电流阻止部，在上述电流阻止部及上述第二导电性包层的背面形成的电流扩展层，其特征在于，还具有：在上述电流扩展层的背面，与上述电流阻止部相互相对地形成的电流注入用电极；在形成了上述注入用电极以外的部分上形成的光反射层。