[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810174422.5 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101431048A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 申宗勋 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上和/或上方形成绝缘夹层，然后通过图案化该绝缘夹层而形成镶嵌结构，然后在绝缘夹层上和/或上方形成金属层，并通过金属层填充镶嵌结构，然后通过平坦化金属层直到暴露出绝缘夹层的上表面，形成金属线，然后通过对平坦化结构进行热处理，在绝缘夹层中形成气孔。通过本发明公开的制造半导体器件的方法，可以使绝缘层的机械强度最大化，从而形成具有低介电常数的绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上方形成绝缘夹层；然后通过图案化所述绝缘夹层，形成通孔和沟槽；然后在所述绝缘夹层上方形成金属层，并由所述金属层填充所述通孔和所述沟槽；然后通过平坦化所述金属层直到暴露出所述绝缘夹层的上表面，形成金属线；然后在形成所述金属线之后，通过进行热处理，在所述绝缘夹层中形成气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
