[发明专利]栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件

摘要

本发明提供一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，所述元件包括一半导体基底，一图案化的隔离区设置于该半导体基底上，定义一第一主动区及一第二主动区。一高压N-型阱位于该半导体基底的该第一主动区中。一P-型体掺杂区于该半导体基底的该第二主动区中，其中该高压N-型阱和该P-型体掺杂区相隔一特定距离，露出该半导体基底。一P-型浓掺杂漏极区设置于该高压N-型阱中。一对相邻的一P-型浓扩散区和一N-型浓掺杂源极区设置于该P-型体掺杂区中。一栅极结构于该半导体基底上，其一端与该N-型浓掺杂源极区相接，其另一端延伸至该图案化的隔离区上。

主权项

一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，其特征在于，所述的栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件包括：一半导体基底；一图案化的隔离区设置于所述半导体基底上，定义一第一主动区及一第二主动区；一高压N-型阱于所述半导体基底的所述第一主动区中；一P-型体掺杂区于所述半导体基底的所述第二主动区中，其中所述高压N-型阱和所述P-型体掺杂区相隔一特定距离，露出所述半导体基底；一P-型浓掺杂漏极区设置于所述高压N-型阱中；一对相邻的一N-型和一P-型浓掺杂源极区设置于所述P-型体掺杂区中；以及一栅极结构于所述半导体基底上，其一端与所述N-型浓掺杂源极区相接，其另一端延伸至所述图案化的隔离区上。