[发明专利]存储器中记忆胞的写入方法以及利用此方法的存储器装置有效
| 申请号： | 200810174796.7 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101430932A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡文哲;汪大晖;李致维 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种存储器中记忆胞的写入方法，此存储器中欲写入的记忆胞为第一记忆胞，第一记忆胞具有第一S/D区并与第二记忆胞共用第二S/D区，且第二记忆胞具有与第二S/D区相对的第三S/D区。此方法包括：开启第一、第二记忆胞的通道，施加第一电压到第一S/D区，施加第二电压到第二S/D区且施加第三电压到第三S/D区。前述第二电压介于第一与第三电压之间，且第一至第三电压使得载子从第三S/D区流至第一S/D区，并在第一记忆胞的通道中引发将被注入第一记忆胞的电荷储存层的热载子。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 记忆 写入 方法 以及 利用 装置 | ||
【主权项】：
1、一种存储器中记忆胞的写入方法，该存储器中欲写入的记忆胞为第一记忆胞，该第一记忆胞具有第一S/D区并与第二记忆胞共用第二S/D区，且该第二记忆胞具有与该第二S/D区相对的第三S/D区，其特征在于该方法包括：开启该第一记忆胞及该第二记忆胞的通道；以及施加第一电压到该第一S/D区，施加第二电压到该第二S/D区且施加第三电压到该第三S/D区，其中该第二电压介于该第一电压和该第三电压之间，且该第一电压至该第三电压使得载子从该第三S/D区流至该第一S/D区，并在该第一记忆胞的该通道中引发将被注入该第一记忆胞的一电荷储存层的热载子。
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