[发明专利]用于湿化学处理半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 200810174958.7 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101452824B | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | G·施瓦布;C·萨皮尔科;T·布施哈尔特;D·费霍;T·榛原;Y·毛利 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B7/00;B08B3/04;B08B3/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于湿化学处理半导体晶片的方法，其包括：a)使半导体晶片旋转；b)将包括直径为100μm或以下的气泡的清洗液施加到旋转半导体晶片上，以便在半导体晶片上形成液体膜；c)使旋转的半导体晶片暴露于具有活性气体的气氛中；d)除去液体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 处理 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
用于湿化学处理半导体晶片的方法，其包括：a)使半导体晶片旋转；b)将包括直径为100μm或以下且含有氢气的气泡的清洗液施加到旋转半导体晶片上，以便在半导体晶片上形成液体膜；c)使旋转的半导体晶片暴露于具有活性气体的气氛中；d)除去液体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
