[发明专利]类钻碳电子装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810174978.4 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101728449A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/0224;H01L31/20;H01L35/28;H01L35/02;H01L35/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 田丰 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钻碳电子装置，其包含：导电类钻碳阳极；邻接于该类钻碳阳极的非晶形电荷载子分隔层；以及邻接于该电荷载子分隔层且相对于该类钻碳阳极的阴极，该导电类钻碳的材料具有大约30至90原子百分比的sp3键结碳含量、大约0至30原子百分比的氢含量以及大约10至70原子百分比的sp2键结碳含量；其为一种可提高电子装置，达到了提升效率、降低了制造的复杂度、节省了材料成本、提高了可靠度等效果。 | ||
| 搜索关键词： | 类钻碳 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种类钻碳电子装置，其包含：导电类钻碳阳极；邻接于该类钻碳阳极的非晶形电荷载子分隔层；以及邻接于该电荷载子分隔层且相对于该类钻碳阳极的阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
