[发明专利]通过耦合涡流传感器测量薄膜厚度的方法和设备

摘要

提供一种用于在薄膜厚度测量过程中把测量光点尺寸和噪声减到最小的方法。所述方法从把第一涡流传感器设置成对准与导电播膜相联系的第一表面开始。所述方法把第二涡流传感器设置成对准与导电薄膜相联系的第二表面。第一和第二涡流传感器可以共享公用的轴线或彼此偏离。所述方法还包括交替地向第一涡流传感器和第二涡流传感器供电。在本发明的一个方面，在第一涡流传感器和第二涡流传感器之间切换电源的操作之间包含延迟时间。所述方法还包括根据来自第一涡流传感器和第二涡流传感器的信号的组合计算薄膜厚度测量值。还提供一种设备和一种系统。

主权项

1.一种用于处理晶片的系统，包括：化学机械平面化(CMP)工具，该CMP工具包括，晶片载体，限定在外壳内，所述晶片载体的底面具有限定在该底面上的窗口；载体薄膜，附在所述晶片载体的所述底面上，所述载体薄膜配置成在CMP操作过程中支持晶片；以及传感器，嵌入在所述晶片中，所述传感器设置在所述窗口的顶面上面，所述传感器配置成在所述晶片感生涡流，以便确定所述晶片的接近度和厚度；传感器阵列，位于所述CMP工具外，所述传感器阵列与嵌入所述晶片载体的传感器通信，所述传感器阵列包括第一传感器和相应的第二传感器，所述第一传感器和相应的第二传感器配置成交替地处于俄起作用的状态和不起作用的状态，所述第一传感器还配置成当第二传感器处于不起作用的状态时处于起作用的状态，所述传感器阵列配置成检测晶片与第一传感器和相应的第二传感器至所述晶片的距离无关的晶片厚度信号。