[发明专利]喷淋板和基板处理装置有效
| 申请号： | 200810175598.2 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101431009A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 舆水地盐;传宝一树;持木宏政 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32;C23F4/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种喷淋板和基板处理装置，即使经过使用时间，也能够为了延长喷淋板的寿命，而防止异常放电的发生。基板处理装置(10)具有对腔室(11)内的处理空间(S)供给处理气体的喷淋头(30)，该喷淋头(30)具有圆板状的喷淋板(31)，该喷淋板(31)介于形成在喷淋头(30)内且用于导入处理气体的空间(34)和处理空间(S)之间，并且具有连通空间(34)和处理空间(S)的处理气体供给路径(36)，该处理气体供给路径(36)具有形成在空间(34)侧的多个气孔(40)和形成在处理空间(S)侧的多个气槽(41)，多个气孔(40)和多个气槽(41)相互连通，全部气槽(41)的流路截面积的总和比全部气孔(40)的流路截面积的总和大。 | ||
| 搜索关键词： | 喷淋 处理 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种喷淋板，其包含在配置在基板处理装置的处理室中且对该处理室内的处理空间供给处理气体的处理气体供给部，该喷淋板的特征在于：该喷淋板介于处理气体导入空间和所述处理空间之间，该处理气体导入空间形成在所述处理气体供给部内，且用于导入所述处理气体，该喷淋板具有处理气体供给路径，其连通所述处理气体导入空间和所述处理空间，所述处理气体供给路径具有形成在所述处理气体导入空间侧的多个气孔和形成在所述处理空间侧的多个气槽，所述多个气孔和所述多个气槽相互连通，所述全部的气槽的流路截面积的总和比所述全部的气孔的流路截面积的总和大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
