[发明专利]用于晶片处理的处理室及其相关方法

摘要

一种用于晶片处理的处理室及其相关方法。该方法包括：提供处理室，其包括：第一体积，覆盖在晶片上方；平板，支撑晶片，限定晶片正下方的第二体积，平板包含流体入口和出口，它们限定在平板的周边，并位于限定成支撑晶片的部分的外侧，它们定向成使流体以设定的形式流过第一体积；支撑结构，支撑平板，还限定平板正下方的第三体积。将晶片放置在平板的限定成支撑晶片的部分上。对第一、第二及第三体积加压，使第一体积具有比第二体积更高的压力，进一步使第二体积具有比第三体积更高的压力。通过流体入口向第一体积提供流体，通过流体出口将流体从第一体积排出，使流体以设定的形式流过第一体积，流体配制成可执行晶片清洗过程。本发明还提供清洗晶片的方法。

主权项

1. 一种执行晶片清洗过程的方法，包括：提供处理室，所述处理室包括：第一体积，其设置成用来覆盖在晶片上方；平板，其设置成用来支撑晶片，所述平板还设置成用于当所述晶片被支撑在所述平板上时限定在所述晶片正下方的第二体积，所述平板包含流体入口和流体出口，所述流体入口和流体出口被限定在所述平板的周边，并且位于限定成用于支撑所述晶片的部分的外侧，所述流体入口和流体出口定向成用于使流体以设定的形式流过所述第一体积；支撑结构，其设置成用来支撑所述平板，所述支撑结构还设置成用来限定所述平板正下方的第三体积；将晶片放置在所述平板的限定成用于支撑所述晶片的所述部分上；对所述第一体积、第二体积以及第三体积加压，所述加压使所述第一体积具有比所述第二体积更高的压力，招兵买马述加压进一步使所述第二体积具有比所述第三体积更高的压力；以及通过所述流体入口向所述第一体积提供流体，通过所述流体出口将所述流体从所述第一体积排出，使所述流体以所述设定的形式流过所述第一体积，所述流体配制成可执行晶片清洗过程。