[发明专利]双重图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810175819.6 | 申请日: | 2008-11-04 |
公开(公告)号: | CN101431052A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 尹竣九 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/146;H01L23/522 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李丙林;张 英 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明实施例涉及一种包括第一器件的双重图像传感器,该第一器件包括:具有第一倾斜阶梯的第一晶片,在第一倾斜阶梯上的倾斜平面上的第一反射面,在与第一倾斜阶梯相邻的下部端面上方的至少一个第一微透镜,以及在与第一倾斜阶梯相邻的上部端面上的填充有金属的第一通道孔。双重图像传感器中的第二器件包括:具有第二倾斜阶梯的第二晶片,在第二倾斜阶梯上的倾斜平面上的第二反射面,以及在与第二倾斜阶梯相邻的上部端面的第一部分上的至少一个第二微透镜。通过将第一通道孔中的金属和第二通道孔中的金属连接在一起来形成双重图像传感器。该双重图像传感器能够使从图像传感器的一侧或两侧入射的光以及在图像传感器的正面和背面入射的光成像。 | ||
搜索关键词: | 双重 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种方法,包括:通过下述步骤来形成第一器件:在第一晶片上形成第一倾斜阶梯,在所述第一倾斜阶梯上的倾斜平面上形成第一反射面以反射从侧面入射的光,以及在与所述第一倾斜阶梯相邻的下部端面上方形成至少一个第一微透镜;以及通过下述步骤来形成第二器件:在第二晶片上形成第二倾斜阶梯,在所述第二倾斜阶梯上的倾斜平面上形成第二反射面以反射从所述侧面入射的光,以及在与所述第二倾斜阶梯相邻的上部端面的第一部分上方形成至少一个第二微透镜;在与所述第一倾斜阶梯相邻的上部端面上形成第一通道孔,以及在所述第二晶片的所述上部端面的第二部分上形成第二通道孔;用金属填充所述第一通道孔和所述第二通道孔;以及将所述第一通道孔内的所述金属和所述第二通道孔内的所述金属连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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