[发明专利]内连结构的形成方法无效
| 申请号： | 200810176070.7 | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101635272A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;曾国华;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在半导体集成电路中的内连结构的形成方法。本发明的内连结构的形成方法通过双镶嵌工艺形成内连导线与介层物，包括：于一基板的表面上形成一介层物介电层；形成一蚀刻停止层于该介层物介电层之上；图案化该蚀刻停止层，以形成多个穿透该蚀刻停止层内的开口；形成一沟槽介电层于经图案化的该蚀刻停止层之上；于该沟槽介电层内形成多个沟槽开口，所述多个沟槽开口分别位于该蚀刻停止层内的所述多个开口上；以及穿透该沟槽介电层内与该蚀刻停止层内的所述多个开口而于该介层物介电层内形成多个介层物开口。本发明免除了起因于介层物与沟槽硬掩模间的误对准情形所造成的金属桥接/断路等问题。避免了高深宽比蚀刻开口所遭遇问题。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内连结构的形成方法，包括：于一基板的表面上形成一介层物介电层；形成一蚀刻停止层于该介层物介电层之上；图案化该蚀刻停止层，以形成多个穿透该蚀刻停止层内的开口；形成一沟槽介电层于经图案化的该蚀刻停止层之上；于该沟槽介电层内形成多个沟槽开口，所述多个沟槽开口分别位于该蚀刻停止层内的所述多个开口上；以及穿透该沟槽介电层内与该蚀刻停止层内的所述多个开口而于该介层物介电层内形成多个介层物开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
