[发明专利]通过原子层沉积法在扩散层上沉积金属膜以及用于此的有机金属前体络合物无效
| 申请号： | 200810176206.4 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101469005A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | H·程;D·加格;P·奥尔德琼;M·科比恩 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C07F19/00 | 分类号： | C07F19/00;C07F1/08;C23C16/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘 锴;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过原子层沉积法在扩散层上沉积金属膜以及用于此的有机金属前体络合物。具体地，其公开了含有金属和含吸电子基团的配体的有机金属前体络合物。该络合物适合于在全钝化扩散阻隔层上和沉积在扩散阻隔层之上的金属层上经历放热吸附，和在扩散阻隔层和金属层上经历放热还原。该金属优选为铜。也公开了该络合物在原子层沉积法中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 原子 沉积 扩散 金属膜 以及 用于 有机 金属 络合物 | ||
【主权项】：
1、一种有机金属前体络合物，适合于在全钝化扩散层上和沉积在扩散阻隔层之上的金属层上经历放热化学吸附，和在扩散阻隔层和金属层上经历放热还原，其中该络合物包括金属层的金属和含吸电子基团的配体。
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