[发明专利]制造图像传感器的方法无效

专利信息
申请号: 200810176265.1 申请日: 2008-11-19
公开(公告)号: CN101442066A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 沈莲娥 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/71;H01L21/82;G02B3/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 郑小军;冯志云
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了制造图像传感器的方法,该方法包括以下步骤:在其中形成有光电二极管的衬底上方形成层间介电层;在该层间介电层上方形成光致抗蚀剂膜;从多个不同的角度多次曝光该光致抗蚀剂膜;以及通过显影经曝光的该光致抗蚀剂膜以形成微透镜。其不包括回流工艺,而是包括从不同角度多次曝光光致抗蚀剂膜,然后,通过显影经曝光的光致抗蚀剂膜,形成一个或多个微透镜。根据本发明的方法可以简化形成微透镜的工艺,并且最小化微透镜的间隔而防止微透镜的桥接,以增加入射到光电二极管的光量,从而最佳化图像质量。
搜索关键词: 制造 图像传感器 方法
【主权项】:
1. 一种方法,包括以下步骤:在其中形成有光电二极管的衬底上方形成层间介电层;然后在该层间介电层上方形成光致抗蚀剂膜;然后从多个不同的角度多次曝光该光致抗蚀剂膜;以及然后通过显影经曝光的该光致抗蚀剂膜以形成微透镜。
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