[发明专利]包括在基底上放置半导体芯片的制造装置的方法有效
申请号: | 200810176383.2 | 申请日: | 2008-11-25 |
公开(公告)号: | CN101447442A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | R·奥特伦巴;X·施勒格尔;R·费希尔;T·L·谭 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;蒋 骏 |
地址: | 德国新*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及包括在基底上放置半导体芯片的制造装置的方法。公开了一种制造装置的方法。一个实施例提供具有从基底突出的第一元件的基底。半导体芯片具有在第一表面上的第一电极,和与第一表面相反的第二表面上的第二电极。半导体芯片被放置在基底的第一元件上,半导体芯片的第一表面朝向基底。半导体芯片的第二电极电连接到基底,且基底被至少部分移除。 | ||
搜索关键词: | 包括 基底 放置 半导体 芯片 制造 装置 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种制造装置的方法,包括:提供基底,具有从基底突出的第一元件;提供半导体芯片,具有在第一表面上的第一电极和在与第一表面相反的第二表面上的第二电极;将半导体芯片放置在基底的第一元件上,半导体芯片的第一表面朝向基底;将半导体芯片的第二电极电连接到基底;以及至少部分地移除基底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份公司,未经英飞凌科技股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810176383.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一次性小便定量采样器
- 下一篇:模组化计算机伺服液压控制高频动态疲劳试验机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造