[发明专利]单一型基片处理装置和方法无效
| 申请号： | 200810176554.1 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101604616A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 具敎旭;崔基勋;崔重奉 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 申 健 |
| 地址： | 韩国忠清南道天*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种单一型基片处理装置和方法，一抛光单元，设置在处理腔中，用于通过化学和机械抛光方法抛光基片，一清洗单元，设置在同一处理腔中，用于清洗所述基片。因此，根据所述单一型基片处理装置和方法，用单一的基片处理方法能够对同一处理腔中的基片逐个抛光和清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 型基片 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单一型基片处理装置，其特征在于，包括：一处理腔，在其中基片得到处理；一基片支撑单元，可转动地设置在所述处理腔中，用于在所述基片支撑单元上放置基片；一抛光单元，设置在所述处理腔中所述基片支撑单元的一侧，用于通过化学和机械抛光方法抛光基片；和一清洗单元，设置在所述处理腔中所述基片支撑单元的另一侧，用于清洗所述基片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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