[发明专利]电介质陶瓷组合物及电子部件

摘要

本发明为电介质陶瓷组合物和电子部件。本发明涉及一种电介质陶瓷组合物，其含有BaTiO₃、BaZrO₃、R氧化物(R为稀土类元素)，相对于100mol的BaTiO₃，BaZrO₃的含量为A mol，R氧化物的含量为C mol时，满足40≤A≤65mol、4≤C≤15mol，且同时满足式(1)和(2)。本发明可提供IR寿命长，可适用于额定电压高(例如100V以上)的中高压用途的电介质陶瓷组合物。式(1)...0.0038A-0.147≤B≤0.004A+0.04(B为BaZrO₃的X射线衍射最大峰强度与BaTiO₃的X射线衍射最大峰强度之比)、式(2)...0.0041C-0.0115≤D≤0.0046C+0.084(D为R氧化物的X射线衍射最大峰强度与BaTiO₃的X射线衍射最大峰强度之比)。

主权项

1、一种电介质陶瓷组合物，其含有BamTiO2+m(其中m满足0.99≤m≤1.01)、BanZrO2+n(其中n满足0.99≤n≤1.01)、R的氧化物(其中R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种)，其特征在于：相对于上述BamTiO2+m100mol，上述BanZrO2+n的含量为A mol、上述R的氧化物的含量为C mol时，上述A以BanZrO2+n计，满足40≤A≤65mol，上述C以R2O3计，满足4≤C≤15mol，并且同时满足下式(1)和(2)：式(1)...0.0038A-0.147≤B≤0.004A+0.04(其中，B为上述BanZrO2+n的X射线衍射最大峰强度与上述BamTiO2+m的X射线衍射最大峰强度之比)式(2)...0.0041C-0.0115≤D≤0.0046C+0.084(其中，D为上述R的氧化物的X射线衍射最大峰强度与上述BamTiO2+m的X射线衍射最大峰强度之比)。