[发明专利]微定涡卷叶片内制造电极的方法无效
| 申请号： | 200810177004.1 | 申请日： | 2005-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101456533A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 俞度立 | 申请（专利权）人： | 俞度立 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;F04C29/00;F04C18/02 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁朝玉 |
| 地址： | 100054北京市丰台区菜*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微定涡卷叶片(涡卷壁)内制造电极的方法，包括如下步骤：a.SOI硅片作为出发材料，和；b.各向异性的从反面刻蚀，并停留在二氧化硅层；c.各向异性的刻蚀二氧化硅层；d.各向异性硅刻蚀到指定深度形成深洞；e.洞里绝缘层等厚度沉积，二氧化硅为首选；f.洞内金属电镀工艺，首选金，(或多晶体硅沉积)。微定涡卷叶片也就是微定涡卷壁。 | ||
| 搜索关键词： | 微定涡卷 叶片 制造 电极 方法 | ||
【主权项】：
1、微定涡卷叶片内制造电极的方法，其特征在于包括如下步骤：a、SOI硅片作为出发材料，和；b、各向异性的从反面刻蚀，并停留在二氧化硅层；c、各向异性的刻蚀二氧化硅层；d、各向异性硅刻蚀到指定深度形成深洞；e、洞里绝缘层等厚度沉积，二氧化硅为首选；f、洞内金属电镀工艺，首选金，或多晶体硅沉积。
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