[发明专利]光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810177618.X 申请日: 2008-11-17
公开(公告)号: CN101441404A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 世良博;宫田崇 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 雒运朴;李 伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供可提高半导体元件的特性的光掩模、半导体装置及半导体装置的制造方法。半色调掩模(11)具有:掩模基材(12);在掩模基材(12)上形成的、对来自曝光装置的曝光光的透过率进行调整的半透过膜(13);和在半透过膜(13)上形成的、几乎完全遮住光的遮光膜(14)。遮光膜设置在与沟道区域相当的部分,并设置在与源极/漏极区域相当的半透过膜的周围。半导体装置的制造方法利用上述半色调掩模,将曝光光向抗蚀前体膜照射。然后,通过进行显影处理完成抗蚀膜(25),该抗蚀膜具有:大致残留有曝光前的抗蚀前体膜的厚度的与遮光区域相当的部分(25a)、和残留有薄的抗蚀前体膜的与半透过区域相当的部分(25b)。
搜索关键词: 光掩模 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1. 一种光掩模,其特征在于,具有:遮挡光的遮光部;和控制所述光的强度的光强度差部,所述遮光部设置在所述光强度差部与透过所述光的透过区域的边界的至少一部分。
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