[发明专利]在具有瞬态抑制二极管的滤波器中实现线性电容的器件及方法有效

专利信息
申请号: 200810177718.2 申请日: 2008-11-12
公开(公告)号: CN101552272A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 何佩天;马督儿·博德;张复兴;翁丽敏 申请(专利权)人: 万国半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H03H7/01;H03H7/06
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华;翁若莹
地址: 百慕大哈密尔*** 国省代码: 百慕大群岛;BM
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种具有单向模块化以及对称双向模块化能力的瞬态抑制二极管(TVS)电路,集成有电磁干扰(EMI)滤波器,设置在具有第一种导电形式的半导体衬底上。集成有EMI滤波器的TVS电路还包括用于对称双模块结构的设置于表面的接地端,以及用于单向模块结构的设置于半导体衬底底部的接地端,输入和输出端设置于顶部表面,半导体衬底上设置有至少一个稳压二极管和若干个电容,用于将接地端直接电容耦合到输入端及输出端,而无需介入浮体区域。
搜索关键词: 具有 瞬态 抑制 二极管 滤波器 实现 线性 电容 器件 方法
【主权项】:
1、一种电子器件,其受到集成有电磁干扰滤波器的双向对称模块化瞬态抑制二极管电路保护,其中:集成有电磁干扰滤波器的所述的瞬态抑制二极管还包括并联在输入端与接地端之间的至少一个稳压二极管与若干个电容,其中,当在所述输入端与所述接地端之间设置反向偏压时,所述输入端与所述接地端之间的总电容值实质上处于一个恒定值;并且集成有电磁干扰滤波器的所述的瞬态抑制二极管由一半导体衬底支持,所述的若干个电容包括若干开设在半导体衬底上的填充有绝缘材料的浅槽,并且,所述的浅槽由包括一氮化物绝缘层和一氧化物绝缘层组成的组合绝缘层进行填充。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司,未经万国半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810177718.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top