[发明专利]通过ALD或CVD工艺制备含金属薄膜

摘要

本发明涉及通过ALD或CVD工艺制备含金属薄膜。本发明描述了通过化学蒸汽沉积或原子层沉积包含金属薄膜，例如金属硅酸盐或金属氧氮化硅薄膜的沉积方法。在一个具体实施方案中，含金属薄膜的沉积方法包括向反应室中引入吹扫气体之后引入金属酰胺前体，含硅前体和氧源的步骤。

主权项

1、在基底的至少一个表面形成含金属薄膜的方法，该方法包括：提供位于反应器中的基底；向反应器中引入：至少一种包含式M(NR1R2)k的金属酰胺前体，其中R1和R2是相同或不同的，并各自独立选自烷基、烯丙基、乙烯基、苯基、环烷基、氟烷基、甲硅烷基烷基和其组合，其中k为4到5；至少一种含硅前体，其选自包含式(R3NH)nSiR4mH4-(n+m)的单烷基氨基硅烷前体，其中R3和R4是相同或不同的，并各自独立选自烷基、烯丙基、乙烯基、苯基、环烷基、氟烷基、甲硅烷基烷基及其组合，和其中n为1到3的数，m为0到2的数，且“n+m”的和等于或小于3，和包含式(R52N-NH)xSiR6yH4-(x+y)的肼基硅烷前体，其中R5和R6是相同或不同的，并各自独立选自烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、环烷基、氟烷基、甲硅烷基烷基，和其中x为1到2的数，y为0到2的数，且“x+y”的和等于或小于3，以及单烷基氨基硅烷前体和肼基硅烷前体的组合；和至少一种氧源，其中，在引入吹扫气体后引入各前体和所述氧源；并将所述至少一种金属酰胺前体，至少一种含硅前体，和至少一种氧源暴露于一种或多种能源，该能源足以使其反应并在所述基底的至少一个表面上提供含金属薄膜。