[发明专利]有机金属化学气相沉积反应器有效
申请号: | 200810177922.4 | 申请日: | 2008-11-21 |
公开(公告)号: | CN101440479A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 上野昌纪;高须贺英良 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈海涛;樊卫民 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了有机金属化学气相沉积(MOCVD)反应器,利用所述反应器,在使得沉积膜厚度均匀的同时,能够提高膜的沉积效率。MOCVD反应器(1)安装有基座(5)和导管(11)。基座(5)具有用于加热和承载衬底(20)的承载面。导管(11)用于将反应气体G引导到衬底(20)。基座5可以旋转,同时承载面朝向导管(11)内部。导管(11)具有管道(11b)和(11c),其在点A4上游的导管端处合并。导管(11)的高度沿反应气体G流动方向,从点P1至点P2朝向导管下游端单调降低,从点P2至点P3保持不变,从点P3朝向下游单调降低。点P1位于点A4的上游,而点P3位于基座5上。 | ||
搜索关键词: | 有机 金属 化学 沉积 反应器 | ||
【主权项】:
1. 一种使用反应气体在衬底上沉积膜的有机金属化学气相沉积反应器,所述有机金属化学气相沉积反应器包括:加热构件,所述加热构件具有用于加热衬底和承载衬底的承载面;和导管,所述导管用于将反应气体引导到衬底;其中所述加热构件是能够旋转的,且其承载面面向所述导管的内部;所述导管具有第一管道和第二管道,且所述第一管道和第二管道在承载面上游端的上游的所述导管端部合并;所述导管的高度沿反应气体流动方向,从第一点到第二点朝向下游单调降低,从第二点到第三点保持不变,从第三点朝向下游单调降低;和所述第一点位于在衬底承载位置的上游端的上游的承载面上,所述第三点位于所述加热构件上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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