[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810178023.6 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101452899A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 盐泽胜臣;金本恭三;黑川博志;德田安纪;臧本恭介;佐久间仁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/28;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;蒋 骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备：由氮化物半导体构成的p型接触层；p电极，由在所述p型接触层上依次形成的第一Pd膜和Ta膜、以及在所述Ta膜上部的整个面上形成的第二Pd膜构成；形成在所述p电极上的焊盘电极，构成所述p电极的第二Pd膜的膜厚为50nm以上且150nm以下。
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