[发明专利]晶背的封装结构无效
| 申请号： | 200810178155.9 | 申请日： | 2008-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101740525A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吴俊泰;邱恒德 | 申请（专利权）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种晶背的封装结构，所述包括一半导体基材以及一多层结构层，所述多层结构层设置于所述半导体基材的底部，且是由多晶硅层以及绝缘层(如二氧化硅层)所组合而成；通过本发明的多层结构，能够促进吸杂效果、有效防止自动掺杂，改善毛边现象，并节省工艺成本，且通过此种结构易于调整硅基板的弓形度(bow)及翘曲度(warp)。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种晶背的封装结构，其特征在于，所述晶背的封装结构包括：一半导体基材；一多层结构层，设置于所述半导体基材的底部，且是由至少一保护层以及至少一绝缘层所组合而成。
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