[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200810178207.2 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101436429A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 增田隆史;芹泽健一;高桥弘行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4094 | 分类号： | G11C11/4094;G11C11/4099 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种将位线对预先充电至地电势的半导体存储装置，包括读出放大器，连接在位线对之间；存储单元，连接到位线对中的一条并存储数据；第一晶体管，控制位线对中的另一条和基准单元节点之间的导通状态；第二晶体管，连接在产生基准电压的基准电压源和基准单元节点之间，该第二晶体管仅由第一晶体管控制；以及电容器，设定基准单元节点的电势。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种将位线对预先充电至地电势的半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：读出放大器，连接在位线对之间；存储单元，连接到所述位线对中的一条并且存储数据；第一晶体管，控制所述位线对中的另一条和基准单元节点之间的导通状态；第二晶体管，连接在产生基准电压的基准电压源和基准单元节点之间，所述第二晶体管由所述第一晶体管排他地控制；以及电容器，设定所述基准单元节点的电势，其中当所述第二晶体管处于所述导通状态时，所述半导体存储装置通过使用在所述基准单元节点和所述第二晶体管之间流动的电流的负相电流来协助所述电容器充电和放电。
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