[发明专利]光传感器和显示装置有效
申请号: | 200810178475.4 | 申请日: | 2008-12-01 |
公开(公告)号: | CN101447523A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 伊藤良一;山中刚 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L27/144;G02F1/133;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了光传感器和显示装置,包括具有光接收部的半导体薄膜的光传感器包括下列元件。基板具有正锥形的倾斜侧壁的凹槽。反射材料层沿基板的凹槽而设置。绝缘层覆盖其上具有反射材料层的基板。半导体薄膜设置在绝缘层上以跨过凹槽。半导体薄膜的光接收部设置在凹槽上方。根据本发明,可以增加对来自基板上方的光的灵敏度,另外也可以增加对长波长光的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 传感器 显示装置 | ||
【主权项】:
1. 一种光传感器,包括具有光接收部的半导体薄膜,所述光传感器包括:基板,包括具有正锥形的倾斜侧壁的凹槽;反射材料层,沿所述基板的所述凹槽而设置;绝缘层,覆盖其上具有所述反射材料层的所述基板;以及半导体薄膜,设置在所述绝缘层上以跨过所述凹槽,其中所述半导体薄膜的光接收部设置在所述凹槽上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的