[发明专利]灰色调掩模的制造方法和灰色调掩模以及图案转印方法无效
申请号: | 200810178589.9 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101408725A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 佐野道明;井村和久;三井胜 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种灰色调掩模的制造方法、灰色调掩模及图案转印方法。其中,准备在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜的灰色调掩模板,对该灰色调掩模板施加第一次构图,在包含被构图的遮光膜和露出的半透光膜的透明基板整个表面上形成抗蚀剂膜之后,通过进行第二次构图,在该半透光膜和该遮光膜上分别进行预定构图,从而形成灰色调掩模。并且,相对于所述第一次构图时的描绘光的所述遮光膜的表面反射率和相对于所述第二次构图时的描绘光的所述半透光膜的表面反射率的差,被调整为35%以下。 | ||
搜索关键词: | 色调 制造 方法 以及 图案 | ||
【主权项】:
1、一种灰色调掩模的制造方法,所述灰色调掩模使曝光光线对被转印体的照射量按照部位选择地降低,并对被转印体上的光敏抗蚀剂形成含有残膜值不同的部分的所希望的转印图案,且该灰色调掩模具有透光部、遮光部以及透过曝光光线的一部分的半透光部,所述灰色调掩模的制造方法,其特征在于:准备在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜的灰色调掩模板,对该灰色调掩模板施加第一次构图,在包含被构图的遮光膜和露出的半透光膜的透明基板整个表面上形成抗蚀剂膜之后,通过实施第二次构图,对该半透光膜和该遮光膜分别进行预定的构图,从而形成灰色调掩模,相对于所述第一次构图时的描绘光的所述遮光膜的表面反射率与相对于所述第二次构图时的描绘光的所述半透光膜的表面反射率的差被调整为35%以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810178589.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备