[发明专利]用于光伏应用的抗反射涂层有效
| 申请号： | 200810178599.2 | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101425551A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | P·T·赫尔利;R·G·里奇韦;R·N·弗尔蒂斯;M·L·奥尼尔;A·D·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/06;H01L31/068;H01L31/0216;C23C16/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘 锴;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造包含含有p-n结的硅基质的光伏设备的方法，其中该方法包括步骤：通过在至少一个硅基质的表面上由组合物化学气相沉积形成无定形碳化硅抗反射涂层，其中该组合物包含由有机硅烷、氨基硅烷及其混合物组成的组中选择的前体，其中该无定形碳化硅抗反射涂层是由式SivCxNuHyFR表示的薄膜，其中v+x+u+y+z＝100％，v为1-35原子％，x为5-80原子％，u为0-50原子％，y为10-50原子％且z为0-15原子％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 应用 反射 涂层 | ||
【主权项】：
1、一种制造包含含有p-n结的硅基质的光伏设备的方法，其中该方法包括步骤：通过在至少一个硅基质的表面上由组合物化学气相沉积形成无定形碳化硅抗反射涂层，其中该组合物包含由有机硅烷、氨基硅烷及其混合物组成的组中选择的前体，其中该无定形碳化硅抗反射涂层是由式SivCxNuHyFz表示的薄膜，其中v+x+u+y+z＝100％，v为1-35原子％，x为5-80原子％，u为0-50原子％，y为10-50原子％且z为0-15原子％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
