[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及包含能够抑制含铜布线的腐蚀的清洗工序的“半导体装置的制造方法”，其中包括如下工序：在半导体衬底(1)上形成含铜布线(5w)((A)工序)；在布线(5w)上形成蚀刻阻挡膜(6es)((B)工序)；在蚀刻阻挡膜(6es)上形成绝缘层(6)((C)工序)；在绝缘层(6)上形成达到蚀刻阻挡膜(6es)的通路孔((D)工序)；用有机溶剂(C)清洗通路孔(6v)和绝缘层(6)的表面((E)工序)；除去蚀刻阻挡膜，使布线(5w)露出((F)工序)；以及再形成电连接至露出的布线(5w)的布线(6w)((G)工序)。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：(A)在半导体衬底上形成含铜的第1布线；(B)在所述第1布线上形成蚀刻阻挡膜；(C)在所述蚀刻阻挡膜上形成绝缘层；(D)在所述绝缘层上形成达到所述蚀刻阻挡膜的通路孔；(F)除去所述蚀刻阻挡膜，以使所述通路孔达到所述第1布线而使所述第1布线从所述通路孔露出；以及(E)在所述(F)工序之前，用有机溶剂清洗所述通路孔和所述绝缘层的表面。